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第八章指令剩余部分及第九章相关时序翻译内容

第1章至第六章翻译链接：https://blog.csdn.net/z123canghai/article/details/88700489

第7章状态寄存器翻译及第八章指令部分翻译链接：https://blog.csdn.net/z123canghai/article/details/88726856

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8.2.16 四线模式页写 (32h)

8.2.17 扇区擦除 (20h)

8.2.18 32KB 块擦除 (52h)

8.2.19 64KB 块擦除 (D8h)

8.2.20 片擦除 (C7h / 60h)

8.2.21 擦除/写挂起(75h)

8.2.22 擦除/写恢复 (7Ah)

8.2.23 待机 (B9h)

8.2.24 Release Power-down / Device ID (ABh)

8.2.25 读取制造商/设备ID (90h)

8.2.26 读取制造商/设备ID  Dual I/O (92h)

8.2.27 读取制造商/设备ID  Quad I/O (94h)

8.2.28 读唯一标识码 (4Bh)

8.2.29 读 JEDEC ID (9Fh)

8.2.30 读SFDP寄存器 (5Ah)

8.2.31 擦除安全寄存器 (44h)

8.2.32 写安全寄存器 (42h)

8.2.33 读安全寄存器 (48h)

8.2.34设置读取参数(C0h)

8.2.35 Burst Read with Wrap (0Ch)

8.2.36 进入QPI 模式 (38h)

8.2.37 推出QPI模式(FFh)

8.2.38 单独块/扇区锁定(36h)

8.2.39 单独的块/扇区锁定解除 (39h)

8.2.40 读块/扇区锁定 (3Dh)

8.2.41 全局块/扇区锁定(7Eh)

8.2.42全局块/扇区锁定解除(98h)

8.2.43 复位使能(66h)和复位设备(99h)

九、电气特性

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8.2.16 四线模式页写 (32h)

四页编程指令允许使用四个引脚（IO0，IO1，IO2和IO3）在先前擦除（FFh）的存储单元中编程最多256个字节的数据。四页编程可以提高PROM编程器和时钟速度低于5MHz的应用的性能。具有更快时钟速度的系统对四页编程指令没有太大的好处，因为固有的页面编程时间远远大于它所花费的时间输入数据。

要使用四页编程，必须将状态寄存器-2中的四路使能（QE）位设置为1.必须先执行写使能指令，然后器件才能接受四页编程指令（状态寄存器-1，WEL = 1） 。通过将/ CS引脚驱动为低电平然后将指令代码“32h”后跟24位地址（A23-A0）和至少一个数据字节移入IO引脚来启动该指令。/ CS引脚必须保持低电平当数据被发送到设备时，指令的整个长度。四页程序的所有其他功能与标准页面程序相同。 QuadPage程序指令序列如图30所示。

8.2.17 扇区擦除 (20h)

扇区擦除指令将指定扇区（4K字节）内的所有存储器设置为全1（FFh）的擦除状态。在器件接受扇区擦除指令（状态寄存器位WEL必须等于1）之前，必须执行写使能指令。通过将/ CS引脚驱动为低电平并将指令代码“20h”移至24位扇区地址（A23-A0）来启动该指令。扇区擦除指令序列如图31a和31b所示。

在锁存最后一个字节的第8位后，/ CS引脚必须被驱动为高电平。如果不这样做，则不会执行扇区擦除指令。在/ CS被驱动为高电平后，自定时扇区擦除指令将在tSE的持续时间内开始（参见交流特性）。扇区擦除周期正在进行时，仍然可以访问读状态寄存器指令以检查BUSY位的状态。扇区擦除周期期间BUSY位为1，当周期结束且器件准备再次接受其他指令时，BUSY位变为0。扇区擦除周期结束后，状态寄存器中的写使能锁存（WEL）位清零。如果寻址页受块保护（CMP，SEC，TB，BP2）保护，则不会执行扇区擦除指令。 ，BP1和BP0）位或单个块/扇区锁。

8.2.18 32KB 块擦除 (52h)

块擦除指令将指定块（32K字节）内的所有存储器设置为全1（FFh）的擦除状态。必须在器件接受块擦除指令（状态寄存器位WEL必须等于1）之前执行写使能指令。通过将/ CS引脚驱动为低电平并将指令代码“52h”移至24位块地址（A23-A0）来启动该指令。块擦除指令序列如图32a和32b所示。

在锁存最后一个字节的第8位后，/ CS引脚必须被驱动为高电平。如果不是，则不会执行块擦除指令。在/ CS被驱动为高电平之后，自定时块擦除指令将开始持续tBE1的持续时间（参见AC特性）。当块擦除周期正在进行时，仍然可以访问读状态寄存器指令以检查BUSY位的状态。块擦除周期期间BUSY位为1，当周期结束且器件准备再次接受其他指令时，BUSY位变为0。块擦除周期结束后，状态寄存器中的写使能锁存（WEL）位清零。如果寻址页受块保护位或单独块/扇区锁保护，则不会执行块擦除指令。

8.2.19 64KB 块擦除 (D8h)

块擦除指令将指定块（64K字节）内的所有存储器设置为全1（FFh）的擦除状态。必须在器件接受块擦除指令（状态寄存器位WEL必须等于1）之前执行写使能指令。通过将/ CS引脚驱动为低电平并将指令代码“D8h”移至24位块地址（A23-A0）来启动该指令。块擦除指令序列如图33a和33b所示。

在锁存最后一个字节的第8位后，/ CS引脚必须被驱动为高电平。如果不这样做，则不会执行块擦除指令。在/ CS被驱动为高电平之后，自定时块擦除指令将开始持续tBE的持续时间（参见AC特性）。当块擦除周期正在进行时，仍然可以访问读状态寄存器指令以检查BUSY位的状态。块擦除周期期间BUSY位为1，当周期结束且器件准备再次接受其他指令时，BUSY位变为0。块擦除周期结束后，状态寄存器中的写使能锁存（WEL）位被清除为0.如果寻址页受块保护(CMP, SEC, TB, BP2, BP1, and BP0)位或单独块/扇区锁保护，则不会执行块擦除指令.

8.2.20 片擦除 (C7h / 60h)

芯片擦除指令将器件内的所有存储器设置为全1（FFh）的擦除状态。在器件接受芯片擦除指令（状态寄存器位WEL必须等于1）之前，必须执行写使能指令。通过将/ CS引脚驱动为低电平并移位指令代码“C7h”或“60h”来启动该指令。芯片擦除指令序列如图34所示。

在第8位被锁存后，/ CS引脚必须被驱动为高电平。如果不这样做，芯片擦除指令将不会被执行。在/ CS被驱动为高电平之后，自定时芯片擦除指令将开始tCE的持续时间（参见AC特性）。当芯片擦除周期正在进行时，仍然可以访问读状态寄存器指令以检查BUSY位的状态。芯片擦除周期期间BUSY位为1，完成后变为0，器件准备再次接受其他指令。芯片擦除周期结束后，状态寄存器中的写使能锁存（WEL）位清零。如果任何存储区域受块保护位或单个块/扇区锁保护，则不会执行芯片擦除指令。

8.2.21 擦除/写挂起(75h)

擦除/编程挂起指令“75h”允许系统中断扇区或块擦除操作或页面编程操作，然后从任何其他扇区或块读取或编程/擦除数据。擦除/编程挂起指令序列如图35a和35b所示。

擦除暂停期间不允许写入状态寄存器指令（01h）和擦除指令（20h，52h，D8h，C7h，60h，44h）。擦除暂停仅在扇区或块擦除操作期间有效。如果在芯片擦除操作期间写入，则忽略擦除暂停指令。程序暂停期间不允许写入状态寄存器指令（01h，31h，11h）和程序指令（02h，32h，42h）。程序暂停仅在页面编程或四页编程操作期间有效。

仅当扇区或块擦除或页面编程操作正在进行时，状态寄存器中的SUS位等于0且BUSY位等于1时，器件才会接受擦除/编程挂起指令“75h”。如果SUS位等于1或BUSY位等于0，则器件将忽略挂起指令。暂停擦除或编程操作需要最多时间“tSUS”（参见AC特性）。状态寄存器中的BUSY位将在“tSUS”内从1清除为0，并且在擦除/编程暂停后，状态寄存器中的SUS位将立即从0设置为1。对于先前恢复的擦除/编程操作，还要求在先前的恢复指令“7Ah”之后的“tSUS”的最小时间之前发出挂起指令“75h”。

擦除/编程挂起状态期间意外断电将重置设备并释放挂起状态。状态寄存器中的SUS位也将复位为0.暂停的页面，扇区或块内的数据可能会损坏。建议用户实施系统设计技术以防止意外断电并在擦除/程序挂起状态期间保持数据完整性

8.2.22 擦除/写恢复 (7Ah)

必须写入擦除/编程恢复指令“7Ah”，以便在擦除/编程挂起后恢复扇区或块擦除操作或页面编程操作。仅当状态寄存器中的SUS位等于1且BUSY位等于0时，器件才接受恢复指令“7Ah”。发出后，SUS位将立即从1清零，BUSY位将在200ns内从0设置为1，扇区或块将完成擦除操作或页面将完成程序操作。如果SUS位等于0或BUSY位等于1，则器件将忽略恢复指令“7Ah”。擦除/编程恢复指令序列如图36a和36b所示。

如果先前的擦除/编程挂起操作被意外断电中断，则忽略恢复指令。还要求在先前的恢复指令之后的“tSUS”的最小时间内不发布随后的擦除/编程暂停指令。

8.2.23 待机 (B9h)

虽然正常工作期间的待机电流相对较低，但通过掉电指令可以进一步降低待机电流。较低的功耗使掉电指令对电池供电的应用特别有用（参见AC特性中的ICC1和ICC2）。通过将/ CS引脚驱动为低电平并移位指令代码“B9h”来启动该指令，如图37a和37b所示。

在第8位被锁存后，/ CS引脚必须被驱动为高电平。如果不这样做，则不会执行Powerdown指令。在/ CS被驱动为高电平之后，掉电状态将在tDP的持续时间内进入（参见AC特性）。在断电状态下，只能识别将设备恢复正常运行的释放掉电/设备ID（ABh）指令。所有其他指令都被忽略。这包括读状态寄存器指令，该指令在正常操作期间始终可用。忽略除一条指令之外的所有指令使断电状态成为确保最大写保护的有用条件。器件始终在正常工作时使用ICC1的待机电流上电。

8.2.24 Release Power-down / Device ID (ABh)

从掉电/器件ID释放指令是一种多用途指令。它可用于将设备从断电状态释放，或获取设备电子标识（ID）号。

要将器件从掉电状态释放，通过将/ CS引脚驱动为低电平，将指令代码“ABh”和驱动/ CS置为高电平来发出指令，如图38a和38b所示。断电后释放将占用tRES1的持续时间（参见交流特性），然后设备将恢复正常操作并接受其他指令。 / CS引脚必须在tRES1持续时间内保持高电平。

当仅用于在不处于掉电状态时获取器件ID时，通过将/ CS引脚驱动为低电平并移位指令代码“ABh”，然后移位3个虚拟字节来启动指令。然后，器件ID位在CLK的下降沿移出，最高有效位（MSB）优先。 W25Q128FV的设备ID值列在“制造商和设备识别”表中。可以连续读取设备ID。通过驱动/ CS高电平完成指令。

当用于将器件从断电状态释放并获得器件ID时，该指令与前面描述的相同，如图38c和38d所示，除了在/ CS被驱动为高电平之后它必须保持高电平一段时间持续时间tRES2（见交流特性）。在此持续时间之后，设备将恢复正常操作，并且将接受其他指令。如果在擦除，编程或写周期正在进行时发出掉电/器件ID释放指令（当BUSY等于1时），指令将被忽略，并且不会对当前周期产生任何影响。

8.2.25 读取制造商/设备ID (90h)

读取制造商/设备ID指令是从掉电/设备ID释放指令的替代方案，该指令提供JEDEC指定的制造商ID和特定的设备ID。

读取制造商/设备ID指令非常类似于从掉电/器件ID释放指令。 通过将/ CS引脚驱动为低电平并移位指令代码“90h”，然后移位24位地址（A23-A0）为000000h来启动该指令。 之后，Winbond的制造商ID（EFh）和器件ID在CLK的下降沿移出，最高有效位（MSB）优先，如图39所示.W25Q128FV的器件ID值列在制造商和 设备识别表。 通过驱动/ CS高电平完成指令。

8.2.26 读取制造商/设备ID  Dual I/O (92h)

读取制造商/设备ID双I / O指令是读取制造商/设备ID指令的替代指令，它以2倍速度提供JEDEC指定的制造商ID和特定设备ID。

读取制造商/器件ID双I / O指令类似于快速读取双I / O指令。通过将/ CS引脚驱动为低电平并移位指令代码“92h”后跟24位地址（ A23-A0）为000000h，但能够在每个时钟输入两位地址位。之后，在CLK的下降沿，Winbond的制造商ID（EFh）和器件ID每时钟移出2位。 最高有效位（MSB）首先如图40所示.W25Q128FV的器件ID值列在制造商和器件识别表中。 制造商和设备ID可以连续读取，从一个到另一个交替读取。 通过驱动/ CS高电平完成指令。

注意：“连续读取模式”位M（7-0）必须设置为Fxh才能与快速读取双I / O指令兼容。

8.2.27 读取制造商/设备ID  Quad I/O (94h)

读取制造商/设备ID四I / O指令是读取制造商/设备ID指令的替代指令，该指令以4倍速度提供JEDEC指定的制造商ID和特定设备ID。

读取制造商/设备ID四I / O指令类似于快速读取四I / O指令。通过将/ CS引脚驱动为低电平并移位指令代码“94h”然后移位4个时钟虚拟周期然后移位24位地址（A23-A0）为000000h来启动该指令，但能够输入地址位每个时钟四位。之后，Winbond的制造商ID（EFh）和器件ID在CLK的下降沿每个时钟移出4位，最高有效位（MSB）首先如图41所示.W25Q128FV的器件ID值为列在制造商和设备识别表中。制造商和设备ID可以连续读取，从一个到另一个交替读取。通过驱动/ CS高电平完成指令。制造商和设备ID可以连续读取，从一个到另一个交替读取。通过驱动/ CS高电平完成指令。

注意：“连续读取模式”位M（7-0）必须设置为Fxh才能与快速读取四I / O指令兼容

8.2.28 读唯一标识码 (4Bh)

Read Unique ID Number指令访问出厂设置的只读64位数字，该数字对于每个W25Q128FV器件是唯一的。 ID号可与用户软件方法结合使用，以帮助防止复制或克隆系统。 通过将/ CS引脚驱动为低电平并移位指令代码“4Bh”，然后移位四个字节的虚拟时钟来启动读取唯一ID指令。 之后，64位ID在CLK的下降沿移出，如图42所示。

8.2.29 读 JEDEC ID (9Fh)

出于兼容性原因，W25Q128FV提供了若干指令，以电子方式确定设备的身份。 Read JEDEC ID指令与2003年采用的SPI兼容串行存储器的JEDEC标准兼容。通过将/ CS引脚驱动为低电平并移位指令代码“9Fh”来启动该指令。 JEDEC为Winbond（EFh）分配制造商ID字节，然后在CLK的下降沿移出两个器件ID字节，存储器类型（ID15-ID8）和容量（ID7-ID0），最高有效位（MSB）优先为 如图43a和43b所示。 有关内存类型和容量值，请参阅“制造商和设备识别”表。

8.2.30 读SFDP寄存器 (5Ah)

W25Q128BV具有256字节串行闪存可发现参数（SFDP）寄存器，其中包含有关器件配置，可用指令和其他功能的信息。 SFDP参数存储在一个或多个参数标识（PID）表中。目前只指定了一个PID表，但将来可能会添加更多的PID表。 Read SFDP Register指令与最初于2010年为PC和其他应用程序建立的SFDP标准以及2011年发布的JEDEC标准JESD216兼容。大多数Winbond SpiFlash Memories在2011年6月之后发布（日期代码1124及更高版本）支持适用数据表中指定的SFDP功能。

通过将/ CS引脚驱动为低电平并将指令代码“5Ah”后跟24位地址（A23-A0）（1）移入DI引脚来启动读SFDP指令。在SFDP寄存器内容在第40个CLK的下降沿移出之前，还需要8个“伪”时钟，其中最高有效位（MSB）优先，如图34所示。对于SFDP寄存器值和描述，请参考Winbond SFDP定义表的应用说明。

注1：A23-A8 = 0; A7-A0用于定义256字节SFDP寄存器的起始字节地址

8.2.31 擦除安全寄存器 (44h)

W25Q128FV提供三个256字节的安全寄存器，可以单独擦除和编程。 系统制造商可以使用这些寄存器来与主存储器阵列分开存储安全性和其他重要信息。

擦除安全寄存器指令类似于扇区擦除指令。 在器件接受擦除安全寄存器指令（状态寄存器位WEL必须等于1）之前，必须执行写使能指令。 通过将/ CS引脚驱动为低电平并移位指令代码“44h”，然后移位24位地址（A23-A0）以擦除三个安全寄存器中的一个来启动该指令。

擦除安全寄存器的指令序列如图45所示。在最后一个字节的第8位被锁存后，/ CS引脚必须被驱动为高电平。如果不这样做，则不会执行指令。在/ CS被驱动为高电平后，自定时擦除安全寄存器操作将开始持续tSE的持续时间（参见交流特性）。擦除安全寄存器周期正在进行时，仍可以访问读状态寄存器指令以检查BUSY位的状态。擦除周期期间BUSY位为1，当周期结束且器件准备再次接受其他指令时，BUSY位变为0。擦除安全寄存器周期结束后，状态寄存器中的写使能锁存（WEL）位清零。状态寄存器-2中的安全寄存器锁定位（LB3-1）可用于OTP保护安全寄存器。一旦锁定位设置为1，相应的安全寄存器将被永久锁定，该寄存器的擦除安全寄存器指令将被忽略（有关详细说明，请参阅第7.1.8节）。

8.2.32 写安全寄存器 (42h)

写安全寄存器指令类似于页面编程指令。 它允许从一个字节到256个字节的安全寄存器数据在先前擦除（FFh）的存储器位置进行编程。 必须在器件接受程序安全寄存器指令（状态寄存器位WEL = 1）之前执行写使能指令。 通过将/ CS引脚驱动为低电平然后将指令代码“42h”后跟24位地址（A23-A0）和至少一个数据字节移入DI引脚来启动该指令。 在将数据发送到器件时，/ CS引脚必须在指令的整个长度内保持低电平。

程序安全寄存器指令序列如图46所示。状态寄存器-2中的安全寄存器锁定位（LB3-1）可用于OTP保护安全寄存器。 一旦锁定位设置为1，相应的安全寄存器将被永久锁定，该寄存器的程序安全寄存器指令将被忽略（详见7.1.8,8.2.25）。

8.2.33 读安全寄存器 (48h)

读安全寄存器指令类似于快速读指令，允许从四个安全寄存器之一顺序读取一个或多个数据字节。通过将/ CS引脚驱动为低电平然后将指令代码“48h”后跟24位地址（A23- A0）和8个“虚拟”时钟移入DI引脚来启动该指令。代码和地址位在CLK引脚的上升沿锁存。接收到地址后，寻址存储单元的数据字节将在CLK的下降沿从DO引脚移出，最高有效位（MSB）优先。在每个数据字节移出后，字节地址自动递增到下一个字节地址。一旦字节地址到达寄存器的最后一个字节（字节地址FFh），它将复位到地址00h，即寄存器的第一个字节，并继续递增。通过驱动/ CS高电平完成指令。读安全寄存器指令序列如图47所示。如果在擦除，编程或写周期正在进行时发出读安全寄存器指令（BUSY = 1），则忽略该指令，不会对当前周期产生任何影响。读安全寄存器指令允许从D.C.到FR的最大时钟速率（参见交流电气特性）

8.2.34设置读取参数(C0h)

在QPI模式下，为了适应对最大读取频率或最小数据访问延迟的不同需求的各种应用，“设置读取参数（C0h）”指令可用于配置“快速读取（0Bh）的虚拟时钟数” ）“，”快速读取四I / O（EBh）“和”使用包络突发读取（0Ch）“指令，并配置”包络突发读取（0Ch）“指令的”包长“字节数。

在标准SPI模式下，不接受“设置读取参数（C0h）”指令。标准/双/四SPI模式下各种快速读取指令的伪时钟是固定的，详细信息请参考指令表1-2。 “Wrap Length”由“Set Burst with Wrap（77h）”指令中的W5-4位设置。当器件从标准SPI模式切换到QPI模式时，此设置将保持不变。

上电或复位指令后的默认“Wrap Length”为8个字节，默认时钟数为2.虚拟时钟的数量仅可编程为“Fast Read（0Bh）”，“Fast Read Quad I /在QPI模式下，O（EBh）“＆”Burst Read with Wrap（0Ch）“指令。每当器件从SPI模式切换到QPI模式时，应在任何0Bh，EBh或0Ch指令之前再次设置虚拟时钟的数量。

8.2.35 Burst Read with Wrap (0Ch)

“Burst Read with Wrap（0Ch）”指令提供了一种在QPI模式下使用“Wrap Around”执行读取操作的替代方法。 该指令类似于QPI模式中的“快速读取（0Bh）”指令，除了一旦到达结束边界，读取操作的寻址将“环绕”到“包裹长度”的开始边界。

可以通过“设置读取参数（C0h）”指令配置“自动换行长度”和虚拟时钟数。

8.2.36 进入QPI 模式 (38h)

W25Q128FV支持标准/双/四串行外设接口（SPI）和四路外设接口（QPI）。但是，SPI模式和QPI模式不能同时使用。 “输入QPI（38h）”指令是将器件从SPI模式切换到QPI模式的唯一方法。

上电时，器件的默认状态为标准/双/四SPI模式。这提供了与前几代Winbond串行闪存的完全向后兼容性。有关所有支持的SPI命令，请参见指令集表1-3。为了将器件切换到QPI模式，必须首先将状态寄存器-2中的四路使能（QE）位设置为1，并且必须发出“输入QPI（38h）”指令。如果四线使能（QE）位为0，则将忽略“输入QPI（38h）”指令，器件将保持SPI模式。

有关QPI模式支持的所有命令，请参阅指令集表3。当器件从SPI模式切换到QPI模式时，现有的写使能和编程/擦除暂停状态以及绕组长度设置将保持不变。

8.2.37 推出QPI模式(FFh)

为了退出QPI模式并返回标准/双/四SPI模式，必须发出“退出QPI（FFh）”指令。

当器件从QPI模式切换到SPI模式时，现有的写使能锁存（WEL）和编程/擦除暂停状态以及绕组长度设置将保持不变。

8.2.38 单独块/扇区锁定(36h)

单独的块/扇区锁定提供了一种保护存储器阵列免受不良擦除/编程的替代方法。 为了使用单独的块/扇区锁，状态寄存器-3中的WPS位必须设置为1.如果WPS = 0，写保护将由CMP，SEC，TB，BP的组合确定[2： 状态寄存器中的0]位。 各个块/扇区锁定位是易失性位。 器件上电或复位后的默认值为1，因此整个存储器阵列受到保护。

要锁定特定的块或扇区，如图4d所示，必须通过驱动/ CS低电平发出单独的块/扇区锁定命令，在CLK的上升沿将指令代码“36h”移入数据输入（DI）引脚 ，然后是24位地址，然后驱动/ CS高。 必须先执行写使能指令，然后器件才能接受单独的块/扇区锁定指令（状态寄存器位WEL = 1）

8.2.39 单独的块/扇区锁定解除 (39h)

单独的块/扇区锁定提供了一种保护存储器阵列免受不良擦除/编程的替代方法。 为了使用单独的块/扇区锁，状态寄存器-3中的WPS位必须设置为1.如果WPS = 0，写保护将由CMP，SEC，TB，BP的组合确定[2： 状态寄存器中的0]位。 各个块/扇区锁定位是易失性位。 器件上电或复位后的默认值为1，因此整个存储器阵列受到保护。

要解锁特定的块或扇区，如图4d所示，必须通过驱动/ CS低电平发出单独的块/扇区解锁命令，在CLK的上升沿将指令代码“39h”移入数据输入（DI）引脚 ，然后是24位地址，然后驱动/ CS高。 必须在器件接受单独的块/扇区解锁指令（状态寄存器位WEL = 1）之前执行写使能指令。

8.2.40 读块/扇区锁定 (3Dh)

单独的块/扇区锁定提供了一种保护存储器阵列免受不良擦除/编程的替代方法。为了使用单独的块/扇区锁，状态寄存器-3中的WPS位必须设置为1.如果WPS = 0，写保护将由CMP，SEC，TB，BP的组合确定[2：状态寄存器中的0]位。各个块/扇区锁定位是易失性位。器件上电或复位后的默认值为1，因此整个存储器阵列受到保护。

要读出特定块或扇区的锁定位值，如图4d所示，必须通过驱动/ CS低电平发出读取块/扇区锁定命令，将指令代码“3Dh”移入数据输入（DI）引脚在CLK的上升沿，接着是24位地址。块/扇区锁定位值将在CLK的下降沿从DO引脚移出，最高有效位（MSB）优先，如图54所示。如果最低有效位（LSB）为1，则相应的块/部门被锁定;如果LSB = 0，则相应的块/扇区被解锁，可以执行擦除/编程操作。

8.2.41 全局块/扇区锁定(7Eh)

通过全局块/扇区锁定指令可以将所有块/扇区锁定位设置为1。 该命令必须通过驱动/ CS为低电平来发出，在CLK的上升沿将指令代码“7Eh”移入数据输入（DI）引脚，然后驱动/ CS为高电平。 必须在器件接受全局块/扇区锁定指令（状态寄存器位WEL = 1）之前执行写使能指令。

8.2.42全局块/扇区锁定解除(98h)

通过全局块/扇区解锁指令可以将所有块/扇区锁定位设置为0。 必须通过驱动/ CS低电平发出命令，在CLK的上升沿将指令代码“98h”移入数据输入（DI）引脚，然后驱动/ CS为高电平。 必须在器件接受全局块/扇区解锁指令（状态寄存器位WEL = 1）之前执行写使能指令。

8.2.43 复位使能(66h)和复位设备(99h)

由于封装尺寸小且引脚数量有限，W25Q128FV提供软件复位指令，而不是专用的RESET引脚。一旦接受复位指令，任何正在进行的内部操作将被终止，器件将返回其默认的上电状态并丢失所有当前的易失性设置，例如易失性状态寄存器位，写入使能锁存（WEL）状态，编程/擦除暂停状态，读取参数设置（P7-P0），连续读取模式位设置（M7-M0）和Wrap位设置（W6-W4）。

“使能复位（66h）”和“复位（99h）”指令可以在SPI模式或QPI模式下发出。为避免意外复位，必须按顺序发出两条指令。 “Enable Reset（66h）”命令后的“Reset（99h）”以外的任何其他命令将禁用“Reset Enable”状态。需要一个新的序列“启用复位（66h）”和“复位（99h）”来复位器件。一旦器件接受了复位命令，器件将需要大约tRST = 30us才能复位。在此期间，不接受任何命令。

如果设备接受复位命令序列时，如果正在进行或暂停内部擦除或编程操作，则可能会发生数据损坏。在发出复位命令序列之前，建议检查状态寄存器中的BUSY位和SUS位。

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• 九、时序特性